Presentation Information
[9p-A22-5]Formation of staircase structures on ultrathin Si layer/SiO2 structure by wet etching
〇(M2)Mizuma Uno1, Ryuto Hashimoto1, Kouji Inagaki1, Kenta Arima1 (1.UOsaka)
Keywords:
wet etching,anisotropic etching,step/terrace structure
炭素原子1層から構成されるグラフェンは、「二次元材料」として注目されてきた。我々は、炭素の同族元素であるSiをウェットプロセスによって薄層化し、原子1層からなる二次元材料の創製を目指している。そのためにまずは、異種物質であるSiO2の上に形成された極薄のSi層を原子間力顕微鏡で可視化することを目的としている。得られた結果から、SiとSiO2の界面の状態について考察した結果を報告する。