講演情報
[9p-A22-5]湿式異方性エッチングによる極薄Si層／SiO2構造上での階段構造の形成
〇(M2)宇野 瑞真1、橋本 龍人1、稲垣 耕司1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
キーワード：
ウェットエッチング、異方性エッチング、ステップ／テラス構造
炭素原子1層から構成されるグラフェンは、「二次元材料」として注目されてきた。我々は、炭素の同族元素であるSiをウェットプロセスによって薄層化し、原子1層からなる二次元材料の創製を目指している。そのためにまずは、異種物質であるSiO2の上に形成された極薄のSi層を原子間力顕微鏡で可視化することを目的としている。得られた結果から、SiとSiO2の界面の状態について考察した結果を報告する。