[9p-A33-1~16] 17.3 Applications

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[9p-A33-5] A New Nonvolatile Doping Approach for Contact Engineering in Monolayer TMDCs

〇koshi Oi¹, Keisuke Imaeda¹, Shuta Hori¹, Taiga Aridome¹, Junya Mori¹, Takahiko Endo², Yasumitsu Miyata², Akitoshi Nakano¹, Taishi Takenobu¹ (1.Nagoya Univ., 2.NIMS)

Keywords:

Transition Metal Dichalcogenide,Electric double-layer doping,contact engineering

単層遷移金属ダイカルコゲナイドは，理想的な二次元半導体であり，次世代半導体デバイスへの応用が期待されている。一方で，低次元性ゆえに従来の不純物ドーピングが容易ではなく，TMDC/金属界面の接触抵抗がデバイス性能を制限している。本講演は10¹³ cm^-2を超えるキャリア蓄積が可能な電気二重層ドーピングを不揮発化させ，contact engineering に資する新しいドーピング技術について議論する。