[9p-A33-1~16] 17.3 応用技術

15:00 〜 15:15

[9p-A33-5] 単層TMDCのcontact engineering に向けた新規不揮発性ドーピング

〇大井 浩司¹、今枝 佳佑¹、堀 修汰¹、有留 大河¹、森 順哉¹、遠藤 尚彦²、宮田 耕充²、中埜 彰俊¹、竹延 大志¹ (1.名大工、2.NIMS)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド、電気二重層ドーピング、contact engineering

単層遷移金属ダイカルコゲナイドは，理想的な二次元半導体であり，次世代半導体デバイスへの応用が期待されている。一方で，低次元性ゆえに従来の不純物ドーピングが容易ではなく，TMDC/金属界面の接触抵抗がデバイス性能を制限している。本講演は10¹³ cm^-2を超えるキャリア蓄積が可能な電気二重層ドーピングを不揮発化させ，contact engineering に資する新しいドーピング技術について議論する。