[9p-A33-1~16] 17.3 Applications

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)

[9p-A33-6] Electrolyte-Based Contact Engineering at Monolayer TMDC/Metal Interfaces

〇(M2)Keisuke Imaeda¹, Koshi Oi¹, Fumiya Minatogawa¹, Shuta Hori¹, Takahiko Endo², Yasumitsu Miyata², Akitoshi Nakano¹, Taishi Takenobu¹ (1.Nagoya Univ., 2.NIMS)

Keywords:

Transition metal dichalcogenides,Electric-double-layer doping,contact engineering

単層遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）は，原子層厚の理想的な二次元半導体であり，次世代半導体デバイスへの応用が期待されている。一方で，低次元性ゆえに従来の不純物ドーピングが容易ではなく，TMDC/金属界面における接触抵抗がトランジスタ性能を制限する主要因となっている。そこで本研究では，電解質を用いた不揮発性ドーピングにより，単層TMDC/金属界面のcontact engineeringを試みた。