講演情報
[9p-A33-6]電解質を用いた単層TMDC/金属界面のcontact engineering
〇(M2)今枝 佳佑1、大井 浩司1、湊川 郁也1、堀 修汰1、遠藤 尚彦2、宮田 耕充2、中埜 彰俊1、竹延 大志1 (1.名大工、2.NIMS)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、電気二重層ドーピング、コンタクトエンジニアリング
単層遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）は，原子層厚の理想的な二次元半導体であり，次世代半導体デバイスへの応用が期待されている。一方で，低次元性ゆえに従来の不純物ドーピングが容易ではなく，TMDC/金属界面における接触抵抗がトランジスタ性能を制限する主要因となっている。そこで本研究では，電解質を用いた不揮発性ドーピングにより，単層TMDC/金属界面のcontact engineeringを試みた。