Presentation Information
[9p-B11-10]Vertical Schottky barrier diodes with heavily-doped n-type r-GeO2 epilayers grown on (001) TiO2 substrate
〇Kazutaka Kanegae1, Kazuki Shimazoe2, Ichiro Seike1, Hiroyuki Nishinaka1 (1.Kyoto Inst. of Tech., 2.Nagoya Inst. of Tech.)
Keywords:
r-GeO2,Schottky barreir diode
本研究は、(001)NbドープTiO2基板上にSbドープ(GexSn1-x)O2傾斜バッファ層と高ドープn型r-GeO2エピタキシャル成長層をミストCVDで成長し、Ni Schottky電極を用いた縦型SBDを作製した。高ドープn型r-GeO2エピタキシャル成長層を用いたSchottky接合について、障壁高さの不均一性を考慮したTFEモデルによって順方向電流―電圧特性が説明できることを明らかにした。本研究で得られたSchottky接合に関する知見は、r-GeO2半導体デバイスの動作理解と高性能化設計に貢献する。