講演情報
[9p-B11-10](001) TiO2基板上高ドープn型ルチル構造GeO2縦型Schottky障壁ダイオード
〇鐘ヶ江 一孝1、島添 和樹2、清家 一朗1、西中 浩之1 (1.京都工繊大、2.名工大)
キーワード：
ルチル構造酸化ゲルマニウム、Schottky障壁ダイオード
本研究は、(001)NbドープTiO2基板上にSbドープ(GexSn1-x)O2傾斜バッファ層と高ドープn型r-GeO2エピタキシャル成長層をミストCVDで成長し、Ni Schottky電極を用いた縦型SBDを作製した。高ドープn型r-GeO2エピタキシャル成長層を用いたSchottky接合について、障壁高さの不均一性を考慮したTFEモデルによって順方向電流―電圧特性が説明できることを明らかにした。本研究で得られたSchottky接合に関する知見は、r-GeO2半導体デバイスの動作理解と高性能化設計に貢献する。