[9p-B11-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

6:45 PM - 7:00 PM JST(9:45 AM - 10:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-B11-11] Electron traps in as-grown n-type r-GeO₂ epilayers

〇Kazutaka Kanegae¹, Kazuki Shimazoe², Ichiro Seike¹, Naoki Kita¹, Hiroyuki Nishinaka¹ (1.Kyoto Inst. of Tech., 2.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:

r-GeO2,deep level,Electron trap

本研究では、Schottky接合を用いて、ミストCVDで成長したSbドープn型r-GeO₂エピタキシャル層中の電子トラップの評価を行った。100〜400 KのDLTS測定によりE_K・E_L・E_M群を検出した。さらに、ICTS測定によりE_K群からE_K1〜E_K4が分離された。本研究により、n型r-GeO₂エピタキシャル成長層中の電子トラップの実験的な知見を得ることに成功した。本成果は、n型r-GeO₂の欠陥物性の理解と高信頼性デバイス設計に貢献する。