[9p-B11-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

18:45 〜 19:00奨励賞エントリー

[9p-B11-11] n型ルチル構造GeO₂エピタキシャル成長層中の電子トラップ

〇鐘ヶ江 一孝¹、島添 和樹²、清家 一朗¹、北 尚生¹、西中 浩之¹ (1.京都工繊大、2.名工大)

キーワード：

ルチル構造酸化ゲルマニウム、深い準位、電子トラップ

本研究では、Schottky接合を用いて、ミストCVDで成長したSbドープn型r-GeO₂エピタキシャル層中の電子トラップの評価を行った。100〜400 KのDLTS測定によりE_K・E_L・E_M群を検出した。さらに、ICTS測定によりE_K群からE_K1〜E_K4が分離された。本研究により、n型r-GeO₂エピタキシャル成長層中の電子トラップの実験的な知見を得ることに成功した。本成果は、n型r-GeO₂の欠陥物性の理解と高信頼性デバイス設計に貢献する。