[9p-B11-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-B11-6] Investigation of the Phase Stabilization of Rutile GeO₂ via Lattice Mismatch Engineering

〇Kazuki Shimazoe¹, Masashi Kato¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:

Germanium dioxide,GeO2,mist CVD

次々世代パワー半導体材料として注目されているルチル相二酸化ゲルマニウムの結晶相安定化メカニズムを格子ミスマッチの観点から考察した。
基板は(001)TiO2を用いて、格子ミスマッチは挿入するGe1-xSnxO2バッファ層の組成を変えることで制御した。その結果、-1.5%まで格子ミスマッチを小さくするとルチル相単相で成長することが明らかとなった。本研究の結果はルチル相単相成長に向けた設計指針へ貢献するものである。