[9p-B11-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[9p-B11-6] 格子ミスマッチ制御によるルチル相GeO₂の相安定化に関する検討

〇島添 和樹¹、加藤 正史¹ (1.名工大電気)

キーワード：

二酸化ゲルマニウム、GeO2、ミストCVD

次々世代パワー半導体材料として注目されているルチル相二酸化ゲルマニウムの結晶相安定化メカニズムを格子ミスマッチの観点から考察した。
基板は(001)TiO2を用いて、格子ミスマッチは挿入するGe1-xSnxO2バッファ層の組成を変えることで制御した。その結果、-1.5%まで格子ミスマッチを小さくするとルチル相単相で成長することが明らかとなった。本研究の結果はルチル相単相成長に向けた設計指針へ貢献するものである。