[9p-B11-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

6:00 PM - 6:15 PM JST(9:00 AM - 9:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-B11-8] Controlling the Conductivity of Sb-doped r-GeO₂ thin films by Mist CVD

〇Ichiro Seike¹, Hiroki Miyake^1,2, Hiroyuki Nishinaka¹ (1.Kyoto Inst.Tech, 2.MIRISE Tech Corp.)

Keywords:

rutile GeO2,conductivity,Mist CVD

r-GeO₂はpn両極性ドーピングが予想されていることなどから注目を集めている材料であるが、デバイス応用に重要な導電性制御に関しては報告例が非常に少ない。そこで本研究ではGe_xSn_1-xO₂傾斜バッファ層を用いてSbドープr-GeO₂薄膜の成長を行った。Sbドープ率を変えることで5.1×10¹⁸ – 4.9×10²⁰ cm^-3の範囲でキャリア濃度を制御でき、最も高い導電率は1584 S/cmとなった。