講演情報
[9p-B11-8]ミストCVDを用いたSbドープr-GeO2薄膜の導電性制御
〇清家 一朗1、三宅 裕樹1,2、西中 浩之1 (1.京工繊大、2.ミライズ)
キーワード：
ルチル酸化ゲルマニウム、導電性制御、ミストCVD
r-GeO2はpn両極性ドーピングが予想されていることなどから注目を集めている材料であるが、デバイス応用に重要な導電性制御に関しては報告例が非常に少ない。そこで本研究ではGexSn1-xO2傾斜バッファ層を用いてSbドープr-GeO2薄膜の成長を行った。Sbドープ率を変えることで5.1×1018 – 4.9×1020 cm-3の範囲でキャリア濃度を制御でき、最も高い導電率は1584 S/cmとなった。