[9p-B11-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

6:15 PM - 6:30 PM JST(9:15 AM - 9:30 AM UTC)

[9p-B11-9] Infrared reflectance spectroscopy of r-GeO₂ epilayers on sapphire substrates

〇Kazutaka Kanegae¹, Naoki Kita¹, Ichiro Seike¹, Hiroyuki Nishinaka¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:

r-GeO2,FTIR

本研究は、次世代パワーデバイス材料として期待されるルチル型GeO₂薄膜をr面サファイア基板上にミストCVDで成長し、実デバイスに近い試料構造でFTIRによる評価を行った。赤外反射スペクトルから、ルチル型GeO2薄膜由来の赤外活性な光学フォノン角周波数を抽出し、これらがバルク報告値と概ね一致することを確認した。本研究で得られた光学フォノンに関する知見は、r-GeO₂薄膜におけるキャリア輸送やフォノン散乱機構の理解に貢献する。