講演情報
[9p-B11-9]サファイア基板上ルチル構造GeO2エピタキシャル成長層の赤外分光法による評価
〇鐘ヶ江 一孝1、北 尚生1、清家 一朗1、西中 浩之1 (1.京都工繊大)
キーワード：
ルチル構造酸化ゲルマニウム、赤外反射分光
本研究は、次世代パワーデバイス材料として期待されるルチル型GeO2薄膜をr面サファイア基板上にミストCVDで成長し、実デバイスに近い試料構造でFTIRによる評価を行った。赤外反射スペクトルから、ルチル型GeO2薄膜由来の赤外活性な光学フォノン角周波数を抽出し、これらがバルク報告値と概ね一致することを確認した。本研究で得られた光学フォノンに関する知見は、r-GeO2薄膜におけるキャリア輸送やフォノン散乱機構の理解に貢献する。