[9p-E311-1~21] CS.7 Code-sharing session of 6.1 & 15.4

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)

[9p-E311-11] Polarization switching characteristics in wurtzite structured ferroelectric thin films fabricated by sputtering

〇Kazuki Okamoto¹, Shunpei Kawano¹, Soshun Doko¹, Ryoma Asoshina², Hiroya Oiso³, Sotaro Kageyama¹, Yoshiko Nakamura¹, Masato Uehara^2,4, Takeshi Yoshimura^3,5, Isaku Kanno⁶, Hiroshi Funakubo¹ (1.Science Tokyo, 2.Kyushu Univ., 3.Osaka Metro. Univ., 4.AIST, 5.Toyohashi Univ. Tech., 6.Kobe Univ.)

Keywords:

ferroelectrics,nitrides,thin films

2019年にウルツ鉱構造材料での強誘電性が(Al,Sc)N薄膜において実証され, 強誘電体メモリへの応用が期待されている。しかし、 (Al,Sc)Nは大きな残留分極値を示すものの、抗電界が高いことに起因する高い動作電圧が課題である。そして近年、(Ga,Sc)N, Zn(Ce,Mn)Oのように低い抗電界を示しうるウルツ鉱構造材料系について報告されている。しかしながら、これら材料における分極反転挙動に関してはまだ報告はなく、十分な理解がされていない。そこで本研究では、これらのウルツ鉱構造材料における分極反転特性について調べることで、抗電界やそれに関わるエネルギー障壁、反転過程について調査を行った。