講演情報
[9p-E311-11]パッタリング法により作製されたウルツ鉱構造強誘電体薄膜の
スイッチング特性
〇岡本 一輝1、河野 駿平1、道古 宋俊1、阿蘇品 良磨2、大磯 裕也3、影山 壮太郎1、中村 美子1、上原 雅人2,4、吉村 武3,5、神野 伊策6、舟窪 浩1 (1.科学大、2.九州大、3.大阪公立大、4.産総研、5.豊橋技科大、6.神戸大)
キーワード：
強誘電体、窒化物、薄膜
2019年にウルツ鉱構造材料での強誘電性が(Al,Sc)N薄膜において実証され, 強誘電体メモリへの応用が期待されている。しかし、 (Al,Sc)Nは大きな残留分極値を示すものの、抗電界が高いことに起因する高い動作電圧が課題である。そして近年、(Ga,Sc)N, Zn(Ce,Mn)Oのように低い抗電界を示しうるウルツ鉱構造材料系について報告されている。しかしながら、これら材料における分極反転挙動に関してはまだ報告はなく、十分な理解がされていない。そこで本研究では、これらのウルツ鉱構造材料における分極反転特性について調べることで、抗電界やそれに関わるエネルギー障壁、反転過程について調査を行った。