[9p-E311-1~21] CS.7 Code-sharing session of 6.1 & 15.4

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[9p-E311-4] Enhancement of piezoelectric constants in ScAlN thin films by introducing a Lu buffer layer

〇Kenji Hirata¹, Kodai Niitsu², Sri Ayu Anggraini¹, Taisuke Kageura¹, Masato Uehara¹, Hiroshi Yamada¹, Morito Akiyama¹ (1.AIST, 2.NIMS)

Keywords:

nitride,piezoelectric material

Sc添加AlN(ScAlN)は高い圧電性能を有するため弾性波フィルターに使用されている。圧電性能の向上にはScを高濃度でAlN中に固溶させる必要があるが、Scの固溶量は最大で43 mol%程度であり、その際の圧電定数は27.6 pC/Nと報告されている。本研究では、ScAlN薄膜にルテチウムを下地層として導入することにより、Scの固溶量の増大を図り、圧電定数のさらなる向上を試みた。