[9p-E311-1~21] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、15.4 Ⅲ-Ⅴ族窒化物結晶のコードシェアセッション

14:00 〜 14:15

[9p-E311-4] Lu下地層の導入によるScAlN薄膜の圧電定数の向上

〇平田 研二¹、新津 甲大²、Anggraini Sri Ayu¹、䕃浦 泰資¹、上原 雅人¹、山田 浩志¹、秋山 守人¹ (1.産総研、2.物材機構)

キーワード：

窒化物、圧電材料

Sc添加AlN(ScAlN)は高い圧電性能を有するため弾性波フィルターに使用されている。圧電性能の向上にはScを高濃度でAlN中に固溶させる必要があるが、Scの固溶量は最大で43 mol%程度であり、その際の圧電定数は27.6 pC/Nと報告されている。本研究では、ScAlN薄膜にルテチウムを下地層として導入することにより、Scの固溶量の増大を図り、圧電定数のさらなる向上を試みた。