[9p-N101-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)

[9p-N101-10] P-type GaN grown by quartz free hydride vapor phase epitaxy

〇Shota Kaneki¹, Osamu Ichikawa¹, Hajime Fujikura¹ (1.Sumitomo Chemical)

Keywords:

GaN,HVPE,p-type GaN

これまで我々は、石英フリーハイドライド気相成長（QF-HVPE）法により、100 μm/hを超える高い成長レートを維持しつつ、GaN中のSiおよびO不純物を大幅に低減できることを示し、パワーデバイス応用が可能な低キャリア濃度を実現した。一方、QF-HVPE法によるp型GaNの報告はなく、既存のHVPE法によるp型GaNでは、Mgのメモリ効果やFe等の意図しない不純物混入が課題として挙げられている。今回、QF-HVPE法によるp型GaN成長を行ったので報告する。