講演情報
[9p-N101-10]石英フリーHVPE法で成長したp型GaN
〇金木 奨太1、市川 磨1、藤倉 序章1 (1.住友化学)
キーワード：
GaN、HVPE、p型GaN
これまで我々は、石英フリーハイドライド気相成長（QF-HVPE）法により、100 μm/hを超える高い成長レートを維持しつつ、GaN中のSiおよびO不純物を大幅に低減できることを示し、パワーデバイス応用が可能な低キャリア濃度を実現した。一方、QF-HVPE法によるp型GaNの報告はなく、既存のHVPE法によるp型GaNでは、Mgのメモリ効果やFe等の意図しない不純物混入が課題として挙げられている。今回、QF-HVPE法によるp型GaN成長を行ったので報告する。