Presentation Information
[9p-N101-3]Electrical Characterization of Polarization-Doped AlGaN Grown at Different Temperatures
〇Haruto Hirota1, Teppei Takehisa1, Marina Fujita1, Yusuke Kitamura1, Toshihiro Hayashi1, Kenta Takase1, Hiroya Kubo1, Yoshiki Saito2, Shigefusa Chichibu3, Kamiyama Satoshi1, Motoaki Iwaya1, Tetsuya Takeuchi1 (1.Fac. Sci & Tec, Meijo Univ., 2.TOYODA GOSEI Co., Ltd., 3.IMRAM-Tohoku Univ.)
Keywords:
Polarization-Doping,DUV LED
深紫外LEDやLDでは、分極ドーピングによる組成傾斜AlGaNが用いられる。我々は、高AlNモル分率を有するMgを添加しない分極ドープAlGaNにて成長温度を850℃にすることで、電荷中性条件に基づく分極電荷密度理論値と同等の正孔濃度を得た。今回、850℃という低温成長での正孔形成解明を目指し、室温から80 Kの温度範囲でのホール測定から正孔濃度、室温でのC-V測定から負の固定電荷密度を導出した。