講演情報
[9p-N101-3]異なる成長温度における分極ドープ組成傾斜AlGaNの電気的特性評価
〇廣田 晴大1、竹久 哲平1、藤田 麻里奈1、北村 友佑1、林 俊宏1、高瀨 健太1、久保 太哉1、齋藤 義樹2、秩父 重英3、上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1 (1.名城大学・理工、2.豊田合成株式会社、3.東北大多元研)
キーワード：
分極ドーピング、深紫外LED
深紫外LEDやLDでは、分極ドーピングによる組成傾斜AlGaNが用いられる。我々は、高AlNモル分率を有するMgを添加しない分極ドープAlGaNにて成長温度を850℃にすることで、電荷中性条件に基づく分極電荷密度理論値と同等の正孔濃度を得た。今回、850℃という低温成長での正孔形成解明を目指し、室温から80 Kの温度範囲でのホール測定から正孔濃度、室温でのC-V測定から負の固定電荷密度を導出した。