Presentation Information
[9p-N101-8]Reduction of Large Pits by Growing GaN on N-Polar Surfaces Using OVPE
〇Taku Wakasa1, Shigeyoshi Usami1, Masayuki Imanishi1, Mihoko Maruyama1, Masashi Yoshimura2, Yoshio Okayama3, Junichi Takino3, Tomoaki Sumi3, Masahiko Hata4, Masashi Isemura5, Yusuke Mori1 (1.UOsaka, 2.ILE, UOsaka, 3.Panasonic Holdings Corp, 4.Itochu Plastics Inc, 5.Sosho-Ohshin Inc)
Keywords:
GaN,OVPE,N-polar
GaN基板の低コスト化に向け、OVPE法を用いたGaN高速成長時の課題である貫通大ピット低減を検討した。熱安定性に優れるN極性面を成長面に採用することで、基板分解を抑制、昇温過程を簡略化し、貫通大ピットを低減可能か調査した。その結果、従来のGa極性面への成長と比較して貫通大ピット数を低減できることを確認した。これは、N極性面への成長では昇温過程を簡略化しても基板分解が抑制されることを示唆している。