講演情報
[9p-N101-8]OVPE法を用いたN極性面へのGaN成長による貫通大ピット低減
〇若佐 拓1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、丸山 美帆子1、吉村 政志2、岡山 芳央3、滝野 淳一3、隅 智亮3、秦 雅彦4、伊勢村 雅士5、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研、3.パナソニックホールディングス(株)、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.(株)創晶應心)
キーワード：
窒化ガリウム、酸化物気相成長法、N極性面
GaN基板の低コスト化に向け、OVPE法を用いたGaN高速成長時の課題である貫通大ピット低減を検討した。熱安定性に優れるN極性面を成長面に採用することで、基板分解を抑制、昇温過程を簡略化し、貫通大ピットを低減可能か調査した。その結果、従来のGa極性面への成長と比較して貫通大ピット数を低減できることを確認した。これは、N極性面への成長では昇温過程を簡略化しても基板分解が抑制されることを示唆している。