[9p-N101-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)

[9p-N101-9] Semi-Insulating Zn-Doped GaN Grown by an Acidic Ammonothermal Method

〇Takayuki Ishinabe¹, Takuya Hirosawa¹, Tatsuya Takahashi¹, Yuji Kagamitani¹, Kenji Iso^1,2, Satoru Izumisawa¹ (1.Mitsubishi Chemical, 2.Nagoya University)

Keywords:

GaN,Semi-Insulating,Ammonothermal

GaN on GaN HEMTデバイスを普及させるためには、大口径かつ安価な半絶縁GaNウェハーが必要不可欠である。我々は低圧酸性アモノサーマル法を用い、100 MPa以下の圧力でGaN基板を成長する技術を開発してきた。本研究では、酸性アモノサーマル法にてZnドーピング成長を行い、半絶縁性GaNの作製及び評価した結果を報告する。