講演情報
[9p-N101-9]酸性アモノサーマル法による半絶縁性ZnドープGaNの実現
〇石鍋 隆幸1、廣澤 拓哉1、髙橋 達也1、鏡谷 勇二1、磯 憲司1,2、泉沢 悟1 (1.三菱ケミカル株式会社、2.名古屋大学)
キーワード：
GaN、半絶縁、アモノサーマル
GaN on GaN HEMTデバイスを普及させるためには、大口径かつ安価な半絶縁GaNウェハーが必要不可欠である。我々は低圧酸性アモノサーマル法を用い、100 MPa以下の圧力でGaN基板を成長する技術を開発してきた。本研究では、酸性アモノサーマル法にてZnドーピング成長を行い、半絶縁性GaNの作製及び評価した結果を報告する。