Presentation Information
[9p-PA1-19]Defect-Level Behavior in UV/O3-Treated HVPE-Grown β-Ga2O3 Homoepitaxial Films
〇Yoshitaka Nakano1, Daiki Katsube2, Takashi Ogawa2, Yukari Ishikawa2, Kohei Sasaki3, Akito Kuramata3 (1.Chubu Univ., 2.JFCC, 3.Novel Crystal Technology)
Keywords:
Ga2O3,SSPC,Defect Level
本発表では、β-Ga2O3ホモエピ膜において光容量過渡分光(SSPC)計測で検出される固有欠陥準位について、格子緩和を考慮したSSPC微分スペクトル解析を用いてUV/O3処理による強酸化プロセスでの挙動解析を行ったので報告する。