講演情報
[9p-PA1-19]HVPE成膜β-Ga2O3ホモエピ膜のUV/O3処理による欠陥準位の挙動解析
〇中野 由崇1、勝部 大樹2、小川 貴史2、石川 由加里2、佐々木 公平3、倉又 朗人3 (1.中部大工、2.ファインセラミックスセンター、3.ノベルクリスタルテクノロジー)
キーワード：
酸化ガリウム、光容量過渡分光、欠陥準位
本発表では、β-Ga2O3ホモエピ膜において光容量過渡分光(SSPC)計測で検出される固有欠陥準位について、格子緩和を考慮したSSPC微分スペクトル解析を用いてUV/O3処理による強酸化プロセスでの挙動解析を行ったので報告する。