[9p-PA1-1~52] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[9p-PA1-20] Dislocation propagation behavior in HVPE-grown β-Ga₂O₃ epilayers on EFG substrates studied by synchrotron x-ray topography

〇(M1)Yuhi Ikeda¹, Yongzhao Yao^1,2, Daiki Katsube², Yukari Ishikawa² (1.Mie Univ., 2.JFCC)

Keywords:

Ga2O3,XRT,dislocation

β-Ga₂O₃は超ワイドバンドギャップを有する次世代パワー半導体材料として期待されている一方、結晶中の転位などの欠陥がデバイス性能や信頼性に影響を及ぼす。本研究では、放射光X線トポグラフィー（XRT）を用いて、EFG法で作製されたβ-Ga₂O₃基板上HVPEエピ層における転位伝播挙動を解析した。エピ成長前後のXRT像を比較し、観察された代表的な転位形態について会場にて報告する。