[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-20] 放射光X線トポグラフィーによるβ-Ga₂O₃ EFG法基板上HVPEエピ成長層の転位伝播挙動解析

〇(M1)池田 侑陽¹、姚 永昭^1,2、勝部 大樹²、石川 由加里² (1.三重大、2.JFCC)

キーワード：

酸化ガリウム、X線トポグラフィー、転位

β-Ga₂O₃は超ワイドバンドギャップを有する次世代パワー半導体材料として期待されている一方、結晶中の転位などの欠陥がデバイス性能や信頼性に影響を及ぼす。本研究では、放射光X線トポグラフィー（XRT）を用いて、EFG法で作製されたβ-Ga₂O₃基板上HVPEエピ層における転位伝播挙動を解析した。エピ成長前後のXRT像を比較し、観察された代表的な転位形態について会場にて報告する。