[9p-PA1-1~52] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[9p-PA1-41] Film thickness dependence of low-voltage protection elements based on ZnMgO/ZnO structures: Control of turn-on voltage and capacitance

〇Yoshimasa Tsujimoto¹, Takashi Okuda¹, Kensuke Kondo¹, Takatoshi Tojo¹, Naoyuki Tsukamoto¹ (1.OTOWA ELECTRIC)

Keywords:

Wide-bandgap semiconductor,ZnMgO film,Schottky diode

ZnMgO/ZnO 構造を用いた低電圧動作防護素子（ZMO‑SBD）について、ZnMgO 膜厚が立ち上がり電圧 V_1mA と静電容量に与える影響を評価した。膜厚増加に伴い V_1mA は上昇し容量は低下し、空乏層幅支配の動作機構を示唆した。数 ns 応答の TLP による過渡特性も報告する。