[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-41] ZnMgO/ZnO構造に基づく低電圧動作防護素子の膜厚依存性：動作開始電圧と静電容量制御

〇辻本 義将¹、奥田 孝¹、近藤 憲亮¹、東條 孝俊¹、塚本 直之¹ (1.音羽電機工業㈱)

キーワード：

ワイドバンドギャップ半導体、ZnMgO膜、ショットキーダイオード

ZnMgO/ZnO 構造を用いた低電圧動作防護素子（ZMO‑SBD）について、ZnMgO 膜厚が立ち上がり電圧 V_1mA と静電容量に与える影響を評価した。膜厚増加に伴い V_1mA は上昇し容量は低下し、空乏層幅支配の動作機構を示唆した。数 ns 応答の TLP による過渡特性も報告する。