[9p-PA1-1~52] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[9p-PA1-52] Effects of Low-Temperature Annealing on the Defect Properties of Flexible NiO/ZnO Diodes

〇Taigo Matsui¹, Kana Ueda^1,3, Mutsumi Sugiyama^1,2 (1.Tokyo Univ. Sci., 2.RIST, 3.JSPS Research Fellow)

Keywords:

Nickel Oxide,flexible,photoluminescence

本研究では、フレキシブルNiO/ZnO系pnダイオードに対して低温アニール処理などを行い、バルク・界面欠陥の制御について検討した。