[9p-PA1-1~52] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-PA1-52] 低温アニール処理がフレキシブルNiO/ZnOダイオードの欠陥特性に及ぼす影響

〇松井 太吾¹、植田 かな^1,3、杉山 睦^1,2 (1.東理大　創域理工、2.東理大　総研、3.学振特別研究員DC)

キーワード：

NiO、フレキシブル、フォトルミネッセンス

本研究では、フレキシブルNiO/ZnO系pnダイオードに対して低温アニール処理などを行い、バルク・界面欠陥の制御について検討した。