Presentation Information
[9p-PB3-5]Al0.25In0.75Sb/InSb Heterostructure on Metamorphic Buffer Layer to Realize High Sheet Electron Density and Low Sheet Resistance
〇Ryuto Machida1, Kouichi Akahane1, Shinsuke Hara1, Akifumi Kasamatsu1, Issei Watanabe1 (1.NICT)
Keywords:
narrow bandgap compound semiconductor,indium antimonide,molecular beam epitaxy (MBE)
InSbチャネル高電子移動度トランジスタ（HEMT）作製に用いたAl0.25In0.75Sb/InSbヘテロ構造には、結晶品質や電子移動度の向上のためグレーデッドバッファ層と超格子構造を導入したが、成長シーケンスやX線回折パターン解析が複雑であった [1]。そこで、バッファ層構造はAl0.15In0.85Sbメタモルフィックバッファ層のみとしつつ、成長温度を最適化した [2, 3]。このような簡易なバッファ層構造上に成長するチャネル層のシート電子濃度を高め、かつシート抵抗を低減することがHEMTのDC・高周波特性向上には必要である。今回、分子線エピタキシー成長中のTeのδドーピング時間と成長温度の調整を組み合わせたヘテロ構造の電気的特性を測定した。