[9p-PB3-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[9p-PB3-5] 高シート電子濃度および低シート抵抗を実現するメタモルフィックバッファ層上Al_0.25In_0.75Sb/InSbヘテロ構造

〇町田 龍人¹、赤羽 浩一¹、原 紳介¹、笠松 章史¹、渡邊 一世¹ (1.情報通信研究機構)

キーワード：

ナローバンドギャップ化合物半導体、インジウムアンチモン、分子線エピタキシー (MBE)

InSbチャネル高電子移動度トランジスタ（HEMT）作製に用いたAl_0.25In_0.75Sb/InSbヘテロ構造には、結晶品質や電子移動度の向上のためグレーデッドバッファ層と超格子構造を導入したが、成長シーケンスやX線回折パターン解析が複雑であった [1]。そこで、バッファ層構造はAl_0.15In_0.85Sbメタモルフィックバッファ層のみとしつつ、成長温度を最適化した [2, 3]。このような簡易なバッファ層構造上に成長するチャネル層のシート電子濃度を高め、かつシート抵抗を低減することがHEMTのDC・高周波特性向上には必要である。今回、分子線エピタキシー成長中のTeのδドーピング時間と成長温度の調整を組み合わせたヘテロ構造の電気的特性を測定した。