Presentation Information
[9p-PB3-9]Growth of GaAs/AlGaAs distributed Bragg reflectors on on-axis GaAs(111)B substrates
for {111}-oriented entangled photon emitters
〇Yusuke Hayashi1, Akihiro Ohtake1, Takaaki Mano1 (1.NIMS)
Keywords:
DBR
本研究では、分子線エピタキシー（MBE）を用いた GaAs(111)B ジャスト基板上1.3 μm帯GaAs/AlGaAs DBRの成長について報告する。As2供給およびInサーファクタントを採用することで、中心波長 1301 nm、最大反射率 90.3% を有する15ペアDBRの作製に成功した。これらの結果は、エピタキシャル極性反転を介して、(111)A配向の量子ドット構造と(111)B配向のDBR構造を統合するための基盤となることが期待される。