[9p-PB3-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[9p-PB3-9] III-V{111}配向量子もつれ光源に向けたGaAs(111)B ジャスト基板上GaAs/AlGaAs 分布ブラッグ反射鏡の成長

〇林 侑介¹、大竹 晃浩¹、間野 高明¹ (1.物材機構)

キーワード：

DBR

本研究では、分子線エピタキシー（MBE）を用いた GaAs(111)B ジャスト基板上1.3 μm帯GaAs/AlGaAs DBRの成長について報告する。As₂供給およびInサーファクタントを採用することで、中心波長 1301 nm、最大反射率 90.3% を有する15ペアDBRの作製に成功した。これらの結果は、エピタキシャル極性反転を介して、(111)A配向の量子ドット構造と(111)B配向のDBR構造を統合するための基盤となることが期待される。