Presentation Information
[9p-PB4-5]Design Optimization of GeSn Photodetectors in the SWIR Wavelength Range for High-Sensitivity and High-Speed Operation
〇(M1)Shion Hirose1, Shonosuke Hirokawa1, Takahiro Tsukamoto1 (1.Univ. Electro-Comm.)
Keywords:
GeSn,Photodetector,SWIR
Siフォトニクス集積回路の受光素子として、短波赤外（SWIR）帯で動作するGeSnフォトディテクタ（PD）が注目されている。しかし、SWIR帯において高感度・高周波特性を両立するための設計指針は未だ十分に確立されていない。そこで本研究では、TCADデバイスシミュレータを用いてpin型GeSn PDの光応答特性および周波数応答特性を評価し、デバイスの最適設計指針を明らかにすることを目的とした。