講演情報
[9p-PB4-5]高感度・高速動作に向けたSWIR波長帯におけるGeSnフォトディテクタの構造最適化
〇(M1)廣瀬 汐音1、廣川 昌之介1、塚本 貴広1 (1.電通大)
キーワード：
GeSn、フォトディテクタ、短波赤外
Siフォトニクス集積回路の受光素子として、短波赤外（SWIR）帯で動作するGeSnフォトディテクタ（PD）が注目されている。しかし、SWIR帯において高感度・高周波特性を両立するための設計指針は未だ十分に確立されていない。そこで本研究では、TCADデバイスシミュレータを用いてpin型GeSn PDの光応答特性および周波数応答特性を評価し、デバイスの最適設計指針を明らかにすることを目的とした。