Presentation Information
[15a-M_123-10]Investigation of Current Fluctuations and RTN Frequency Change Induced by Read Stress in ReRAM
〇Shota Suzuki1, Naoko Misawa1, Chihiro Matsui1, Ken Takeuchi1 (1.Univ. Tokyo)
Keywords:
ReRAM,read-disturb,random telegraph noise
本報告は，40nm TaOX ReRAMにおいて，読み出し動作の繰り返しによるリードディスターブが読み出し電流値およびランダムテレグラフノイズ (RTN) の発生頻度に及ぼす影響を調査したものである．CNNを用いた解析により，電流変動のメカニズムをドリフトとステートチェンジの2つに定義し，読み出し電圧がこれらに与える影響を明らかにした．本知見は，高信頼なComputation-in-Memoryの実現に向けた運用指針を与えるものである．