[15a-M_123-1~13] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

11:30 〜 11:45

[15a-M_123-10] ReRAMの読み出しストレスに伴う電流変動およびRTN頻度変化の調査

〇鈴木 渉太¹、三澤 奈央子¹、松井 千尋¹、竹内 健¹ (1.東大工)

キーワード：

抵抗変化型メモリ、リードディスターブ、ランダムテレグラフノイズ

本報告は，40nm TaO_X ReRAMにおいて，読み出し動作の繰り返しによるリードディスターブが読み出し電流値およびランダムテレグラフノイズ (RTN) の発生頻度に及ぼす影響を調査したものである．CNNを用いた解析により，電流変動のメカニズムをドリフトとステートチェンジの2つに定義し，読み出し電圧がこれらに与える影響を明らかにした．本知見は，高信頼なComputation-in-Memoryの実現に向けた運用指針を与えるものである．