[15a-M_124-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15a-M_124-4] Evaluation of Quantum Capacitance in Ge Quantum Well for Parametric Amplification

〇(M2)Bo Jiang¹, Yuto Arakawa¹, Chutian Wen¹, Ryutaro Matsuoka¹, Raisei Mizokuchi¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Science Tokyo)

Keywords:

Ge quantum well,Parametric amplification,Quantum capacitance

本研究では、Ge/SiGeヘテロ構造における非線形量子キャパシタンスを用いたパラメトリック増幅器の実現可能性を検討した。反射測定により量子キャパシタンスのゲート電圧依存性を評価し、非線形性を確認した。さらにポンプ印加時の反射特性をシミュレーションし、増幅動作を示した。本方式は磁場下で動作可能であり、Ge量子ビットと高い整合性を有する低雑音増幅器として有望である。