[15a-PA4-1~20] 2 Ionizing Radiation (Poster)

[15a-PA4-1] Noise evaluation of GaN-PND for low energy X-ray imaging

〇Katsuyuki Takagi², Kagemitsu Inaba¹, Fumimasa Horikiri³, Hiroshi Ohta³, Tomoaki Nishimura³, Hiroki Kase², Toru Aoki^1,2, Hyun-Jae Lee⁴, Joung-Hun Shin⁴ (1.Shizuoka Univ. GSIST, 2.Shizuoka Univ. RIE, 3.Hosei Univ. RCIBT, 4.BTOZ Co. Ltd.)

Keywords:

semiconductor detector,gallium nitride

本研究では、30 keV以下の低エネルギーX線検出を目的としたダイオード型GaN検出器（GaN-PND）を開発し、その特性評価を行った。デバイスは良好な整流性を示すとともに、X線照射量に対して出力電流が明確な応答を示すことを確認した。また、得られた応答特性からS/N比（暗電流に対する信号強度）を算出したところ、既存の検出器材料と比較しても有望な特性が得られた。