[15a-PA4-1~20] 2 放射線（ポスター）

[15a-PA4-1] 低エネルギーX線イメージングに向けたGaN-PNDの雑音評価

〇都木 克之²、稲葉 影光¹、堀切 文正³、太田 博³、西村 智朗³、加瀬 裕貴²、青木 徹^1,2、Lee Hyun-Jae⁴、Shin Joung-Hun⁴ (1.静岡大院総合科学技術、2.静岡大電子研、3.法政大イオン研、4.BTOZ Co. Ltd.)

キーワード：

半導体検出器、窒化ガリウム

本研究では、30 keV以下の低エネルギーX線検出を目的としたダイオード型GaN検出器（GaN-PND）を開発し、その特性評価を行った。デバイスは良好な整流性を示すとともに、X線照射量に対して出力電流が明確な応答を示すことを確認した。また、得られた応答特性からS/N比（暗電流に対する信号強度）を算出したところ、既存の検出器材料と比較しても有望な特性が得られた。