Presentation Information
[15a-PB1-1]Thermal desorption spectroscopy of water from hydrogen ion-implanted SiO2/Si structure with a band gap monitor for temperature control
〇Natsumi Aoki1, Kenshi Kimoto1, Kiyoteru Kobayashi1 (1.ESCO)
Keywords:
semiconducter,Thermal desorption spectroscopy
脱離ガスの分析手法として広く用いられる昇温脱離分析（Thermal Desorption Spectroscopy : TDS）法においては、高精度な温度制御が求められる。しかし、従来の温度制御系はいずれも課題が残り、新規の温度制御系の開発が求められていた。
そこで我々は、半導体のバンドギャップの温度依存性に着目し、それを利用した温度制御系を搭載したTDS装置ESCO-TDS1200Ⅱ IR BGMを開発した。本発表では、水素注入SiO2/Si構造からの水の脱離を中心に、その性能と応用事例について紹介する。
そこで我々は、半導体のバンドギャップの温度依存性に着目し、それを利用した温度制御系を搭載したTDS装置ESCO-TDS1200Ⅱ IR BGMを開発した。本発表では、水素注入SiO2/Si構造からの水の脱離を中心に、その性能と応用事例について紹介する。