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[15a-PB2-13]Photon Enhanced Thermionic Emission Characteristics of Cs-Free InGaN Emitters
〇(M1)Kaisei Suzuki1, Shigeya Kimura2, Hisao Miyazaki2, Akihisa Ogino1 (1.Shizuoka Univ., 2.Corporate Laboratory, Toshiba Corp.)
Keywords:
photon enhanced thermionic emission,indium gallium nitride (InGaN),Cs free
光と熱エネルギーを利用する光支援熱電子放出（PETE）は低温動作を可能にする手法として注目されている。従来、Cs吸着AlGaNエミッタで低温域の電子放出増大が報告されているが、Csは脱離しやすく安定性に課題がある。そこで本研究では、Csを用いない低温発電を目的としてInGaNに着目し、MgドープおよびアンドープInGaNを最表面とする多層窒化物エミッタの白色光照射下におけるPETE特性を評価した。