[15a-S2_202-1~10] CS.1 Code-sharing Session of 2.3 & 7.4

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[15a-S2_202-5] XPS Analysis of Ion-irradiated Diamond

〇(M1)Haruna Kakiuchi¹, Koichi Ozaki², Katsumi Takahiro¹ (1.Kyoto Inst. Tech., 2.Shiga-IRC)

Keywords:

XPS,amorphous carbon,ion beam

Arイオンビーム照射によりダイヤモンド基板(sp³-C)表面をアモルファス化し、アモルファスカーボンのXPS C 1sスペクトルを得た。アモルファス層をスパッタリングしていくと、高結合エネルギー成分が増大した。角度分解測定により、この成分がアモルファス層の下に存在する損傷を受けたsp³-C由来であることが確認できた。ピーク分離の結果、高結合エネルギー成分の結合エネルギーは、285.9 eVと求められた。